התנגדות למינציה Gpo3

נחקרו השיטה והמאפיינים של הזרקת ונדיום 2100kev באנרגיה גבוהה לשכבה המבודדת למחצה של לרבד gpo3. התפלגות הריכוזים של השכבה המוזרקת בוצעה הדמיה על ידי חיתוך תוכנת אנליזה מונטה קרלו באמצעות מבנה mesa עבור gpo3, נמצא כי ההתנגדות של השכבה המושתלת ונדיום קשורה קשר הדוק לסוג המוליכות הראשונית של שכבת gpo3 בטמפרטורת החדר, ההתנגדות של ונדיום מושתל p-type ו-n-type 4H SiC הוא 1.6, בהתאמה × 10^10 ו-7.6 × 10^6 Ω· ס"מ נמדדת ההתנגדות בטמפרטורות חישול שונות. נמצא כי חישול בטמפרטורה גבוהה תורם להפעלת החלפת ונדיום ולהגברת ההתנגדות. עקב השפעת דיפוזיה של ונדיום, ההתנגדות יורדת מעט לאחר חישול ב-1700 מעלות. ההתנגדות של שכבת ונדיום מושתלת מסוג n-SiC ב-20 ~ 140 מעלות נמדדה. אנרגיית ההפעלה של רמת מקבל ונדיום ב-4H SiC חושבה להיות 0.78ev